●EUV技術(shù)目前的定位困境
由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強(qiáng)，同時(shí)EUV技術(shù)耗資巨大進(jìn)展緩慢。現(xiàn)在各家廠商對于EUV光刻目前的應(yīng)用，基本上可以用絕望來形容，但是對于這項(xiàng)技術(shù)未來的前景，所有開發(fā)商都從未放棄。EUV的問題到現(xiàn)在都還沒找到合適的快速穩(wěn)定性變的光溶膠，找不到合適的光溶膠，刻深和侵蝕速率就沒辦法控制。
各家廠商都清楚，半導(dǎo)體工藝向往下刻，使用EUV技術(shù)是必須的。而且EUV技術(shù)也能通過液相折射來降低波長，因?yàn)樗姓凵涠伎梢越档筒ㄩL，也就是說EUV技術(shù)可以有效拓展工藝深度。但是現(xiàn)在困擾光刻膠的問題不是波長，而是頻率，光的能量不夠，就沒辦法誘發(fā)反應(yīng)。波長越短，頻率越高，光的能量正比于頻率，反比于波長。但是因?yàn)轭l率過高，傳統(tǒng)的光溶膠直接就被打穿了?，F(xiàn)在材料學(xué)，固體物理和凝聚態(tài)物理已經(jīng)從全部方向上開始制約半導(dǎo)體工藝的發(fā)展了。
在45nm工藝的蝕刻方面，EUV技術(shù)已經(jīng)展現(xiàn)出一些特點(diǎn)
所以現(xiàn)在EVU技術(shù)要突破，從外部支持來講，要換光溶膠，但是合適的一直沒找到。而從EUV技術(shù)自身來講，同時(shí)盡可能的想辦法降低輸出能量。
Intel和IBM還有AMD都已經(jīng)用EVU蝕刻出一些圖案，問題是不是光刻出圖案就可以了，影響刻蝕質(zhì)量的因素除了邊緣穩(wěn)定性，還有刻深。
EUV（極紫外線光刻技術(shù)）是下一代光刻技術(shù)（<32nm節(jié)點(diǎn)的光刻技術(shù)）。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進(jìn)行光刻的技術(shù)。英特爾、IBM是EUV光刻技術(shù)的積極支持者，ASML、尼康、佳能是EUV光刻機(jī)的開發(fā)商。根據(jù)2007年得到的資料，ASML已研制出2臺試用型EUV光刻機(jī)供32nnl工藝研發(fā)用，不作生產(chǎn)用，設(shè)備名稱AlphaDemoTool（ADT），價(jià)格6500萬美元。一臺給美國紐約州Albang大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院（CSNE），另一臺給比利時(shí)IMEC微電子中心。
近年來，EUV光刻技術(shù)研究成果與戰(zhàn)績：
1、2004年9月日本EUV光刻系統(tǒng)開發(fā)協(xié)會表示，正在瞄準(zhǔn)CO2激光光源，它可降低激光成本20％。該協(xié)會正在研究2種光源，一是成本較高的激光產(chǎn)生的等離子，在中等聚焦下，消耗3.1W功率。若添加一個(gè)調(diào)壓放大器，將YAG激光功率從現(xiàn)在的1.3kW提高到1.5 kW，最終達(dá)4 kW 目標(biāo)；二是存在碎片問題的放電產(chǎn)生等離子。
2、2005年德國xfreme Tech公司開發(fā)出800W EUV光源，2010年可達(dá)1000W。
3、2006年9月歐洲FocusGmH、Bielefeld大學(xué)和Maine大學(xué)聯(lián)合推出用于EUV光刻機(jī)的光致電子顯微鏡，它對芯片不產(chǎn)生破壞作用，測量精度可達(dá)20nm特征尺寸。它是歐洲委員會資助EUV開發(fā)MoreMoor項(xiàng)目，為期3年（2004~2006年），投資2325萬歐元。
臺積電公司訂購ASML公司極紫外光刻系統(tǒng)Twinscan NXE3100
4、2006年12月ASML以2.7億美元收購半導(dǎo)體設(shè)計(jì)晶圓制造技術(shù)商BrionTech公司，后者致力于計(jì)算光刻市場，包括設(shè)計(jì)驗(yàn)證、刻線增強(qiáng)技術(shù)和光學(xué)矯正等。
目前EUV光刻技術(shù)存在的問題：
造價(jià)太高，高達(dá)6500萬美元，比193nm ArF浸沒式光刻機(jī)貴；
未找到合適的光源；
沒有無缺陷的掩模；
未研發(fā)出合適的光刻膠；
人力資源缺乏；
不能用于22nm工藝早期開發(fā)工作。
雖然目前EUV光刻技術(shù)還存在不少問題，但業(yè)界并未對它判處“死刑”，但是Intel和IBM之前的表態(tài)，充分表明193 nmArF浸沒式光刻技術(shù)將成為32nm/22nm工藝的主流光刻技術(shù)，EUV要想發(fā)揮實(shí)力還得等待時(shí)機(jī)。