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【兆恒機(jī)械】光刻技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要地位(2)

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  • 添加日期:2021年03月17日

 

    ●半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序簡(jiǎn)析

   要了解芯片的生產(chǎn)工藝,我們需要先知道芯片是怎么被制造出來(lái)的。讓我們分幾個(gè)步驟學(xué)習(xí)芯片的生產(chǎn)過程。

    1、硅提純

   生產(chǎn)芯片等芯片的材料是半導(dǎo)體,現(xiàn)階段主要的材料是硅Si,這是一種非金屬元素,從化學(xué)的角度來(lái)看,由于它處于元素周期表中金屬元素區(qū)與非金屬元素區(qū)的交界處,所以具有半導(dǎo)體的性質(zhì),適合于制造各種微小的晶體管,是目前最適宜于制造現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的材料之一。

   在硅提純的過程中,原材料硅將被熔化,并放進(jìn)一個(gè)巨大的石英熔爐。這時(shí)向熔爐里放入一顆晶種,以便硅晶體圍著這顆晶種生長(zhǎng),直到形成一個(gè)幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是200毫米,而芯片廠商正在增加300毫米晶圓的生產(chǎn)。



單晶硅硅錠

   2、切割晶圓

   硅錠造出來(lái)了,并被整型成一個(gè)完美的圓柱體,接下來(lái)將被切割成片狀,稱為晶圓。晶圓才被真正用于芯片的制造。所謂的“切割晶圓”也就是用機(jī)器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規(guī)格的硅晶片,并將其劃分成多個(gè)細(xì)小的區(qū)域,每個(gè)區(qū)域都將成為一個(gè)芯片的內(nèi)核(Die)。一般來(lái)說(shuō),晶圓切得越薄,相同量的硅材料能夠制造的芯片成品就越多。


ORION 單晶圓清洗系統(tǒng)

   3、影?。≒hotolithography)

   在經(jīng)過熱處理得到的硅氧化物層上面涂敷一種光阻(Photoresist)物質(zhì),紫外線通過印制著芯片復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)圖樣的模板照射硅基片,被紫外線照射的地方光阻物質(zhì)溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區(qū)域也受到光的干擾,必須制作遮罩來(lái)遮蔽這些區(qū)域。這是個(gè)相當(dāng)復(fù)雜的過程,每一個(gè)遮罩的復(fù)雜程度得用幾十個(gè)GB數(shù)據(jù)來(lái)描述。

   4、蝕刻(Etching)

   這是芯片生產(chǎn)過程中重要操作,也是芯片工業(yè)中的重頭技術(shù)。蝕刻技術(shù)把對(duì)光的應(yīng)用推向了極限。蝕刻使用的是波長(zhǎng)很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長(zhǎng)的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上,使之曝光。接下來(lái)停止光照并移除遮罩,使用特定的化學(xué)溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜,以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。


AMD GlobalFoundries德國(guó)德累斯頓工廠光刻區(qū)域(驅(qū)動(dòng)之家圖片)

   然后,曝光的硅將被原子轟擊,使得暴露的硅基片局部摻雜,從而改變這些區(qū)域的導(dǎo)電狀態(tài),以制造出N井或P井,結(jié)合上面制造的基片,芯片的門電路就完成了。

   5、重復(fù)、分層

   為加工新的一層電路,再次生長(zhǎng)硅氧化物,然后沉積一層多晶硅,涂敷光阻物質(zhì),重復(fù)影印、蝕刻過程,得到含多晶硅和硅氧化物的溝槽結(jié)構(gòu)。重復(fù)多遍,形成一個(gè)3D的結(jié)構(gòu),這才是最終的芯片的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導(dǎo)體。層數(shù)決定于設(shè)計(jì)時(shí)芯片的晶體管布局和晶體管規(guī)模,以及通過的電流大小。

    6、封裝

   這時(shí)的芯片是一塊塊晶圓,它還不能直接被用戶使用,必須將它封入一個(gè)陶瓷的或塑料的封殼中,這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結(jié)構(gòu)各有不同,但越高級(jí)的芯片封裝也越復(fù)雜,新的封裝往往能帶來(lái)芯片電氣性能和穩(wěn)定性的提升,并能間接地為主頻的提升提供堅(jiān)實(shí)可靠的基礎(chǔ)。

   7、多次測(cè)試

   測(cè)試是一個(gè)芯片制造的重要環(huán)節(jié),也是一塊芯片出廠前必要的考驗(yàn)。這一步將測(cè)試晶圓的電氣性能,以檢查是否出了什么差錯(cuò),以及這些差錯(cuò)出現(xiàn)在哪個(gè)步驟(如果可能的話)。接下來(lái),晶圓上的每個(gè)芯片核心都將被分開測(cè)試。


芯片在通過一次次測(cè)試

   由于SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,芯片中緩存的基本組成)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、密度高,所以緩存是芯片中容易出問題的部分,對(duì)緩存的測(cè)試也是芯片測(cè)試中的重要部分。

   每塊芯片將被進(jìn)行完全測(cè)試,以檢驗(yàn)其全部功能。某些芯片能夠在較高的頻率下運(yùn)行,所以被標(biāo)上了較高的頻率;而有些芯片因?yàn)榉N種原因運(yùn)行頻率較低,所以被標(biāo)上了較低的頻率。最后,個(gè)別芯片可能存在某些功能上的缺陷,如果問題出在緩存上,制造商仍然可以屏蔽掉它的部分緩存,這意味著這塊芯片依然能夠出售,只是它可能是Celeron等低端產(chǎn)品。

   當(dāng)芯片被放進(jìn)包裝盒之前,一般還要進(jìn)行最后一次測(cè)試,以確保之前的工作準(zhǔn)確無(wú)誤。根據(jù)前面確定的最高運(yùn)行頻率和緩存的不同,它們被放進(jìn)不同的包裝,銷往世界各地。