●EUV技術(shù)對掩膜版的要求
EUV與現(xiàn)有光刻技術(shù)的主要區(qū)別，在于極紫外投影光刻系統(tǒng)使用了反射式掩模。反射式掩模采用堅固的背支撐結(jié)構(gòu)，可以有效地防止由裝校應(yīng)力以及熱應(yīng)力產(chǎn)生的變形；透射式掩模則因為其對工作光束的強烈吸收與熱應(yīng)力變形之間的矛盾不能協(xié)調(diào)解決而無法在13nm 光刻技術(shù)中得到應(yīng)用。
多層膜技術(shù)的巨大進步使得反射式掩模成為可能，但掩模中引入了多層膜之后，相應(yīng)地帶來了諸如多層膜均勻性、多層膜缺陷等技術(shù)難題。由于入射光在掩模表面反射，EUV系統(tǒng)對掩?；椎拿嫘魏腿毕荻加辛烁鼑栏竦囊?。
通過EUV技術(shù)的艱難前行我們可以體會到光刻技術(shù)的發(fā)展并非光刻機一枝獨秀即可，其它環(huán)節(jié)的互相配合與優(yōu)化，如光刻膠和掩膜版等，才能使EUV盡早投入量產(chǎn)。盡管EUV使用的曝光波長比ArF光刻縮小了10倍以上，但是EUV波段的光極易被各種光學(xué)材料吸收也是不爭的事實，全新的掩膜版技術(shù)開發(fā)如箭在弦上。
由于采用透射曝光時掩膜版會吸收EUV光線，其光強將被大幅削弱。因此，相對于目前的投影式光學(xué)系統(tǒng)而言，EUV掩膜版將采用反射技術(shù)，而非透射技術(shù)。要使EUV順利進入量產(chǎn)，無缺陷的掩膜是必不可少的。如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的無缺陷問題成為關(guān)鍵。EUV掩膜版的制作一般是采用多層堆疊的Mo/Si薄膜，每一Mo層與Si層都必須足夠平滑，誤差容許范圍為一個原子大小。如果掩膜上存在大顆粒時，通常需要采用掩膜修正技術(shù)進行處理。另外，掩膜版還涉及到儲存、運輸?shù)入y題。
研究表明，EUV掩膜缺陷密度應(yīng)為18nm節(jié)點0.003defects/cm2，最新的數(shù)據(jù)認為，最終量產(chǎn)時的目標達到0.01defects/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高達1defect/cm2，任務(wù)非常艱巨。要使檢測機臺的水平滿足芯片制造的要求，EUV光源的亮度而非能量，仍需大幅改善。這是因為EUV光刻機的NA非常小，測量機臺只能覆蓋光源較小的一部分，高能量光源對于測量機臺來說太大太昂貴。在這一點上，LPP光源更小更亮，較DPP更有優(yōu)勢。
極紫外投影光刻反射式掩模技術(shù)的難點在于掩模白板的制備，包括缺陷數(shù)控制以及無缺陷多層膜制備。根據(jù)掩模圖形成型方法的不同，其制備方法主要分為：離子束直接刻蝕法、離子注入法、Liftoff法、吸收層干刻法。吸收層干刻法不僅在工藝上切實可行，而且有利于缺陷的檢測和修補，是最為理想的掩模制作方法。