● 最為活躍的193nm浸入式光刻技術(shù)簡介
直至2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵,而此前業(yè)界并沒有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。因為此種技術(shù)的原理清晰及配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動不大,獲得了人們的極大贊賞。
在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中,其鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣,而所謂浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體。實際上,浸入式技術(shù)利用光通過液體介質(zhì)后光源波長縮短來提高分辨率,其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率。例如,在193nm光刻機中,在光源與硅片(光刻膠)之間加入水作為介質(zhì),而水的折射率約為1.4,則波長可縮短為193/1.4=132nm。
如果放的液體不是水,或者是其它液體,但折射率比1.4高時,那實際分辨率可以非常方便地再次提高,這也是浸入式光刻技術(shù)能很快普及的原因。
浸入式技術(shù)目前采用的是兩次去離子的蒸餾水,碰到主要的問題如下:
在浸入式光刻機系統(tǒng)中,由于多種原因都可能產(chǎn)生氣泡,如減壓、氣泡表面的空氣滲透、硅片表面的空氣吸入或者與光刻膠表面的作用等。曾經(jīng)作了氣泡從形成到破裂的壽命試驗,實驗發(fā)現(xiàn)(包括理論的估計)微細(xì)氣泡的壽命正比于它的直徑,許多微細(xì)氣泡在破裂之前實際己經(jīng)分解。
193nm浸入式光刻技術(shù)是所有活躍的光刻技術(shù)中最為長壽最富有競爭力的,從這項技術(shù)一經(jīng)提出,就獲得了全球半導(dǎo)體廠商的一致認(rèn)可。因為它的構(gòu)成方法可行并且投入小,除了節(jié)省設(shè)備制造商以及制程采用者大量研發(fā)及導(dǎo)入成本之外,它還擊敗開發(fā)過程問題重重的157nm光源的干式光刻技術(shù)。