MEMS技術(shù)是u-TAS發(fā)展的基礎(chǔ)，也是微流控芯片加工中最廣泛采用的方法。MEMS加工技術(shù)包括了常規(guī)平面工藝中的光刻、氧化、擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposi
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技術(shù)節(jié)點(diǎn)的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點(diǎn)。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納米級到原子
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從廣義來講，MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的完整微型機(jī)電系統(tǒng)。它可以把運(yùn)動、光、聲、熱、磁等自然界信
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CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；2.?開始：Pad?oxide氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對襯底應(yīng)力過大，容易出問題；接著
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摘 要：研究一種實(shí)現(xiàn)背面拋光的方法，在制絨工序中以氮化硅為掩膜，對金剛線切割單晶硅片進(jìn)行單面制絨，該掩膜在制絨工序中被HF 酸去除。未制絨面作為背鈍化電池背拋
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碳化硅元器件的昨天、今天、明天！來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟【導(dǎo)讀】碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大
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SiC的應(yīng)用始于2000年，最早在PFC中采用了SiC?JBS二極管。隨后是在光伏行業(yè)中，開始使用SiC二極管和FET。但是，最近在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增，
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隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，半導(dǎo)體工藝的特征尺寸不斷縮小，晶體管的柵、源和漏有源區(qū)
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碳化硅(SiC)材料是目前世界上公認(rèn)的綠色高效的新型半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度、抗輻射能力強(qiáng)以及化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)勢
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薄膜沉積是集成電路制造過程中必不可少的環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)的薄膜沉積工藝主要有 PVD、 CVD 等氣相沉積工藝：PVD（物理氣相沉積）： 在真空條件下，采用物理方法，將材料源（固體
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