半導體行業(yè)技術(shù)高、進步快，一代產(chǎn)品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設(shè)備。半導體工藝設(shè)備為半導體大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ)。摩爾定律，給電子業(yè)描繪的前景，必將是未來半導體器件的集成化、微型化程度更高，功能更強大。
以下是半導體生產(chǎn)過程中的主要設(shè)備。
一、半導體濕制程設(shè)備
1清洗工藝簡易：由于集成電路內(nèi)各組件及聯(lián)機相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成芯片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效；我們除了要排除外界的污染源外，許多的集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前均需要進行濕式清洗工作。濕式清洗工作乃是在不破壞晶圓表面特性的前提下，有效地使用化學溶液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質(zhì)。
2 CSE半導體濕制程設(shè)備“特點”
優(yōu)點：濕法設(shè)備適用于多方應(yīng)用，包括清洗、刻蝕、去膠、顯影；占地面積?。豢煽啃詮?；獨特地模塊結(jié)構(gòu)；易維修和保養(yǎng)、低成本；最大兼容應(yīng)用；各個模塊單獨的排風裝置；基于機械手系統(tǒng)的易安裝和更新的模塊。
3 CSE半導體濕制程設(shè)備“分類簡易”
1）石英爐管/石英舟（立式/臥式）
主要功能：設(shè)備主要采用人工上下料、機械手自動實現(xiàn)槽體之間轉(zhuǎn)移方式，對2-12英寸石英爐管或其他石英配件進行酸液浸泡、水槽噴洗、水槽溢流漂洗、水槽氮氣鼓泡等方式進行處理，從而達到一個優(yōu)異的清洗效果。
2）自動供酸系統(tǒng)（CDS）
主要功能：本系統(tǒng)主要用于濕法腐蝕清洗等工序需要使用的腐蝕液集中進行配送，經(jīng)管道配送至使用端；具有自動化程度高、配比精確、操作簡單等特點，具有耐腐蝕性。
3） SPM腐蝕機
主要功能：本設(shè)備主要手動搬運方式，通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果。
4）兆聲波清洗機
產(chǎn)品描述：此設(shè)備自動化程度高，腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體（槽體部分/管路部分等），移動機械傳送裝置，CDS系統(tǒng)，抽風系統(tǒng)，電控及操作臺等部分組成
5）片盒清洗機
主要功能:本設(shè)備主要手動/自動搬運方式,通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。
6）堿腐蝕機
主要功能：用于硅，二氧化硅，氮化硅，氮化硅等晶圓片或者玻璃片的刻蝕。
二、太陽能光伏設(shè)備
設(shè)備用途：主要用于光伏太陽能Si電池片的清洗處理；一般分為預清洗設(shè)備、去損傷清洗機、制絨清洗機、去磷硅玻璃清洗機
設(shè)備名稱：全自動硅芯/硅棒清洗機
主要功能：本設(shè)備主要采用機械手搬運方式，通過腐蝕、水洗、超聲、熱風干燥等工藝，清洗后的產(chǎn)品表面呈金屬光澤，無色斑、表面等異常顏色、在線干燥。
三、光電子器件設(shè)備
1）藍寶石介紹：藍寶石的組成為氧化鋁（Al2O3),是由3個氧原子和2個鋁原子以共價鍵型式結(jié)合而成，它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點高等特點，因此常被用來作為光學元件、光電元件、紅外裝置、高強度鐳射片材料及光罩材料等。
2)藍寶石應(yīng)用領(lǐng)域：藍寶石是制成氮化鎵（GaN)磊晶發(fā)光層的主要基板材料，GaN可用來制作超高亮度藍光、綠光、藍綠光、白光LED。目前市場上70%的LED都是采用藍寶石作為襯底材料。超高亮度白/藍光LED的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶（GaN)的材料品質(zhì)，而氮化鎵磊晶品質(zhì)則與所使用的藍寶石襯底表面加工品質(zhì)息息相關(guān)。藍寶石也可作為航天材料（如透波窗口、激光窗口、護板、壓力傳感器、陀螺、耐磨軸承等部件）；光電設(shè)備元件材料（光電窗口、光電吊艙、光電跟蹤儀、紅外警戒系統(tǒng)、潛艦光電桅桿等）、民用工業(yè)材料（手機窗口、光電遙控窗口、條碼機耐磨窗口、投影儀保護棱鏡、光電管感光棱鏡、永不磨損型雷達表的表蒙、紡織工業(yè)的纖維導絲器、照相機外護鏡頭、耐磨軸承）等等。
四、晶圓制造設(shè)備——刻蝕機
刻蝕原理及分類
刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。
刻蝕原理示意圖
資料來源：《半導體制造技術(shù)》MichaelQuirk
刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。早期普遍采用的是濕法刻蝕，但由于其在線寬控制及刻蝕方向性等多方面的局限，3μm 之后的工藝大多采用干法刻蝕，濕法刻蝕僅用于某些特殊材料層的去除和殘留物的清洗。
干法刻蝕也稱等離子刻蝕。干法刻蝕是指使用氣態(tài)的化學刻蝕劑（Etchant） 與圓片上的材料發(fā)生反應(yīng)，以刻蝕掉需去除的部分材料并形成可揮發(fā)性的反應(yīng)生成物，然后將其抽離反應(yīng)腔的過程?？涛g劑通常直接或間接地產(chǎn)生于刻蝕氣體的等離子體，所以干法刻蝕也稱等離子體刻蝕。
等離子體刻蝕機可以根據(jù)等離子體產(chǎn)生和控制技術(shù)的不同而大致分為兩大類，即電容耦合等離子體（capacitively coupled plasma，CCP）刻蝕機和電感耦合等離子體（Inductively coupled plasma，ICP）刻蝕機。在集成電路生產(chǎn)線上，等離子體刻蝕設(shè)備通常按照被刻蝕材料的種類分為硅刻蝕設(shè)備、金屬刻蝕設(shè)備和電介質(zhì)刻蝕設(shè)備三大類。
CCP 刻蝕機主要用于電介質(zhì)材料的刻蝕工藝，如邏輯芯片工藝前段的柵側(cè)墻和硬掩?？涛g，中段的接觸孔刻蝕，后段的鑲嵌式和鋁墊刻蝕等，以及在 3D 閃存芯片工藝(以氮化硅/氧化硅結(jié)構(gòu)為例)中的深槽、深孔和連線接觸孔的刻蝕等。
ICP 刻蝕機主要用于硅刻蝕和金屬刻蝕，包括對硅淺溝槽(STI)、鍺(Ge)、多晶硅柵結(jié)構(gòu)、金屬柵結(jié)構(gòu)、應(yīng)變硅(Strained-Si)、金屬導線、金屬焊墊(Pad)、鑲嵌式刻蝕金屬硬掩模和多重成像(Multiple Patteming)技術(shù)中的多道工序的刻蝕等。另外，隨著三維集成電路(3D IC)、CMOS 圖像傳感器(CIS)和微機電系統(tǒng)（MEMS)的興起，以及硅通孔(TSV)、大尺寸斜孔槽和不同形貌的深硅刻蝕應(yīng)用的快速增加，多個廠商推出了專為這些應(yīng)用而開發(fā)的刻蝕設(shè)備。
隨著工藝要求的專門化、精細化，刻蝕設(shè)備的多樣化，以及新型材料的應(yīng)用， 上述分類方法已變得越來越模糊。除了集成電路制造領(lǐng)域，等離子體刻蝕還被廣泛用于 LED、MEMS 及光通信等領(lǐng)域。
隨著芯片集成度的不斷提高，生產(chǎn)工藝越來越復雜，刻蝕在整個生產(chǎn)流程中的比重也呈上升趨勢。因此，刻蝕機支出在生產(chǎn)線設(shè)備總支出中的比重也在增加。而刻蝕機按刻蝕材料細分后的增長速度，則根據(jù)工藝技術(shù)的發(fā)展階段不同呈現(xiàn)此消彼長的狀況。例如，當 0.13μm 工藝的銅互連技術(shù)出現(xiàn)時，金屬刻蝕設(shè)備的占比大幅下降，而介質(zhì)刻蝕設(shè)備的占比大幅上升；30nm 之后的工藝中出現(xiàn)的多重圖像技術(shù)及越來越多的軟刻蝕應(yīng)用，則使得硅刻蝕設(shè)備的占比快速增加。