根據(jù)華信研究院資料顯示,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上周下跌5.83%,低于納斯達(dá)克綜合指數(shù)0.35個(gè)百分點(diǎn);臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)下跌0.64%,低于臺(tái)灣資訊科技指數(shù)0.14個(gè)百分點(diǎn)。中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)下跌4.61%,低于A股指數(shù)0.45個(gè)百分點(diǎn)。上周中國(guó)半導(dǎo)體上市公司中,有8家公司上漲,58家公司下跌。其中漲幅最大的公司是國(guó)微技術(shù)(+30.00%)。
從走勢(shì)看,上周中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展指數(shù)有所下降。在中美科技博棄不斷升級(jí)的背景下,強(qiáng)化國(guó)家戰(zhàn)略科技力量,打造自主、可控、安全、可靠的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈,實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)已經(jīng)迫在眉睫,半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代亟需加速。
“新型舉國(guó)體制”助力半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)替代加速,行業(yè)核心技術(shù)鏈有望受益?!靶滦团e國(guó)體制”旨在將市場(chǎng)機(jī)制和舉國(guó)體制的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合,高效配置科技力量和創(chuàng)新資源“集中力量辦大事”。由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有產(chǎn)業(yè)鏈條長(zhǎng)、技術(shù)攻關(guān)難度大、投資力度大和回報(bào)周期長(zhǎng)等特點(diǎn),所以僅靠市場(chǎng)自發(fā)力量很難形成突破。目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在成熟制程取得重大突破,但在先進(jìn)制程和產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點(diǎn)上仍存在一定的阻力。尤其是在半導(dǎo)體上游設(shè)備、材料等板塊,美國(guó)對(duì)運(yùn)算芯片、存儲(chǔ)制造設(shè)備、14nm以下的芯片制造工具、EUV和DUV光刻機(jī)等環(huán)節(jié)的制裁,形成了對(duì)我國(guó)關(guān)鍵核心技術(shù)封鎖的威脅。在新型舉國(guó)體制下,關(guān)鍵設(shè)備及核心技術(shù)上下游產(chǎn)業(yè)鏈將通過(guò)政策的導(dǎo)向,得到產(chǎn)業(yè)資源的優(yōu)先配置。新型舉國(guó)體制將充分利好上游設(shè)備、材料板塊,行業(yè)內(nèi)龍頭企業(yè)有望顯著受益。
設(shè)計(jì)領(lǐng)域:
國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)再添2個(gè)研究院,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)。中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院、芯片技術(shù)研究院正式揭牌成立。其中,芯片技術(shù)研究院是中國(guó)電科經(jīng)中央編辦批準(zhǔn)設(shè)立的研發(fā)機(jī)構(gòu),將依托園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)集聚優(yōu)勢(shì),以及中國(guó)電科第24所、26所、44所技術(shù)積累和資源優(yōu)勢(shì),成體系布局集成電路、微聲電子、半導(dǎo)體光電子、傳感器等芯片技術(shù),完善芯片產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),確保產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全。中國(guó)電科表示,組建產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院、芯片技術(shù)研究院,將推動(dòng)集成電路與核心元器件攻關(guān),加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)。中國(guó)電科將以研究院揭牌成立為新的起點(diǎn),瞄準(zhǔn)國(guó)家急迫需要和長(zhǎng)遠(yuǎn)需求,系統(tǒng)整合集成電路與核心元器件優(yōu)勢(shì)資源,全力打好產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化攻堅(jiān)戰(zhàn),努力在世界一流科研院所建設(shè)方面率先取得突破。
制造領(lǐng)域:
我國(guó)科學(xué)家在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破。9月14日晚,國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然》發(fā)表了我國(guó)科學(xué)家在下一代光電芯片制造領(lǐng)域的重大突破。南京大學(xué)張勇、肖敏、祝世寧領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì),發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術(shù),將飛秒脈沖激光聚焦于材料“鈮酸鋰”的晶體內(nèi)部,通過(guò)控制激光移動(dòng)的方向,在晶體內(nèi)部形成有效電場(chǎng),實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的直寫和擦除。這一新技術(shù),突破了傳統(tǒng)飛秒激光的光衍射極限,把光雕刻鈮酸鋰三維結(jié)構(gòu)的尺寸,從傳統(tǒng)的1微米量級(jí)(相當(dāng)于頭發(fā)絲的五十分之一),首次縮小到納米級(jí),達(dá)到30納米,大大提高了加工精度。這一重大發(fā)明,未來(lái)或可開辟光電芯片制造新賽道,有望用于光電調(diào)制器、聲學(xué)濾波器、非易失鐵電存儲(chǔ)器等關(guān)鍵光電器件芯片制備,在5G/6G通訊、光計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
設(shè)備領(lǐng)域:
設(shè)備零部件,半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代的深水區(qū)。從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)來(lái)看,半導(dǎo)體設(shè)備零部件處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的最上游,也是國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程中較為艱難的領(lǐng)域。究其原因在于設(shè)備零部件具有品類繁多、市場(chǎng)分散、認(rèn)證壁壘高等因素。立足當(dāng)下,隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠及設(shè)備公司營(yíng)收規(guī)模持續(xù)上升,以及其對(duì)自身供應(yīng)鏈安全的考慮,將有望帶動(dòng)一批半導(dǎo)體設(shè)備零部件相關(guān)公司發(fā)展壯大。
東莞兆恒機(jī)械擁有超過(guò)18年的半導(dǎo)體設(shè)備精密零件制造經(jīng)驗(yàn),持續(xù)為國(guó)內(nèi)外眾多半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)制造過(guò)無(wú)數(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備高精密零部件,兆恒基于年均20年的多國(guó)籍技術(shù)管理團(tuán)隊(duì)和高端的進(jìn)口硬件設(shè)備群,及執(zhí)行嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理系統(tǒng)得以保駕護(hù)航,受到客戶持續(xù)的信賴和好評(píng)
材料行業(yè):
碳化硅市場(chǎng)滲透率不斷上升,產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)規(guī)模化發(fā)展。碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車市場(chǎng)的擴(kuò)張緊密相連,隨著新能源汽車市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級(jí)演變,車用芯片需求不斷上升,第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè),其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo),近期三家企業(yè)均發(fā)表了對(duì)碳化硅行業(yè)的積極展望,反映車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。我們認(rèn)為碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入爆發(fā)前夕,隨著新能源車滲透率不斷升高,以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進(jìn),碳化硅器件在主逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)及充電樁等領(lǐng)域有望迎來(lái)規(guī)?;l(fā)展。
信息來(lái)源:華信研究院
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