1)硅片研磨的UV減粘膠帶BG tape
這個應(yīng)用是原料的硅錠切割成硅片以后,表面有些鋸痕破損等,需要進(jìn)行研磨拋光等處理。
這過程中需要用到BG tape,Back grindingtape。
首先,這個厚度公差正負(fù)1um,已經(jīng)把幾乎所有的膠帶廠商擋在了門外,膠的涂布使用一些精密的涂布機(jī)可以達(dá)到,但是搭配上那個膜,就很難了,行業(yè)一般使用PO聚烯烴膜,目前也是只有日本廠商能大量提供,國內(nèi)在研發(fā)起步中;
其次,膠是水性膠,盡量不留殘膠,即使有也很容易清洗去除,膠本
再次,PO膜本身的除了厚度管控,還要防靜電處理,保持柔軟性而便于貼合硅片無氣泡,無離子析出等等,也是很難做到。
2)晶圓減薄保護(hù)膠帶
在如臺積電等工廠完成晶圓后,硅片上已經(jīng)有很多芯片電路了。
如上圖,左邊是線路面,右邊是背面,這樣的產(chǎn)品,對于封裝來說,還是偏厚了,需要進(jìn)行再減薄,更薄的產(chǎn)品,利于將來芯片的散熱,封裝后的芯片更加輕薄,也有更好的電性能,所以在foundry廠出貨前或者芯片封裝廠封裝前,需要將晶圓從背面進(jìn)行減薄。
這類也是BG tape,只是應(yīng)用點(diǎn)不一樣,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也是類似。
簡單的工藝如下:
首先,這個膠也是可以用UV減粘,因?yàn)橛行㊣C如存儲功能的,不能照射UV,所以也有熱減粘或者其他方式的減粘,膠要接觸芯片,肯定也是需要不留殘膠,容易清潔等要求。不同的晶圓尺寸,也有不同的粘度需求,不同的表面,還需要不同厚度的膠來解決表面段差情況。
其次基材也是有PO或者PVC,都有要保持柔韌性,PO膜貴一點(diǎn),PVC便宜一點(diǎn),但是有增塑劑析出的問題需要改善。
3)晶圓切割膠帶
Wafer晶圓經(jīng)過減薄以后,還是一整片的,需要切割成一個個單個芯片chip,這過程中需要使用UV Dicing tape,下圖是一個典型的dicing過程。
將膠帶貼在wafer背面,固定在機(jī)臺上,進(jìn)行切割,粘性需要一定的保證,否則容易崩邊等不良,不留殘膠,某些芯片也不可以使用UV光照。
而基材也有很多學(xué)問,防靜電,
4)QFN封裝膠帶
目前芯片封裝方式有很多,甚至接近百種,其中非常流行的一種方式叫QFN封裝,Quad Flat No-leads Package,方形扁平無引腳封裝。
而QFN封裝的工藝如下:
這過程中用到一種以PI聚酰亞胺為基材,丙烯酸酯為膠的一種單面膠帶。
將QFN膠帶貼在引線框背面,然后涂導(dǎo)電膠或者絕緣膠,固化后,打金線導(dǎo)體各個pad,再用環(huán)氧樹脂灌封,封裝結(jié)束后移除這個膠帶。
膠帶需要使用PI耐高溫的性能,然后不能使用硅膠作為膠黏劑,因?yàn)闀鸸栉廴?,丙烯酸類膠耐高溫,就有不小的挑戰(zhàn),而且還要不留殘膠。
同時這個過程中,用到的導(dǎo)電膠,環(huán)氧樹脂等也是很獨(dú)特的材料,掌握在少數(shù)幾個國際巨頭手中。
5)晶片粘結(jié)膠膜
將芯片固定在引線框架上或者粘接兩層wafer,可以使用膠水,dieattach adhesive,或者也可以使用熱敏型的DAF膠膜,Die attach film,或者有導(dǎo)電的CDAF。
6)芯片包裝的載蓋帶
芯片封裝結(jié)束后,需要使用專門的載蓋帶包裝。