半導(dǎo)體制造是人類迄今為止掌握的工業(yè)技術(shù)難度最高的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，是先進(jìn)制造領(lǐng)域皇冠上的一顆鉆石。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，芯片線寬尺寸不斷減小，制造工序逐漸復(fù)雜。目前國(guó)際上7 nm制程已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，需要近2000道工序，先進(jìn)的制程和復(fù)雜的工序?qū)⒊掷m(xù)提升對(duì)于先進(jìn)設(shè)備的需求。
晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備包括光刻機(jī)、化學(xué)氣相淀積設(shè)備、物理氣相淀積設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、褪火設(shè)備、清洗設(shè)備等；封裝環(huán)節(jié)設(shè)備包括研磨減薄設(shè)備、切割設(shè)備、度量缺陷檢測(cè)設(shè)備、裝片機(jī)、引線鍵合設(shè)備、注塑機(jī)、切筋成型設(shè)備等；測(cè)試環(huán)節(jié)設(shè)備包括測(cè)試機(jī)（ATE，Automatic Test Equipment）、分選機(jī)（Handler）、探針臺(tái)（Wafer Prober）等。這些設(shè)備的制造需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，目前最先進(jìn)的設(shè)備已經(jīng)在進(jìn)行原子級(jí)別的制造，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。
在測(cè)試設(shè)備中，測(cè)試機(jī)用于檢測(cè)芯片功能和性能，探針臺(tái)與分選機(jī)實(shí)現(xiàn)被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)功能模塊的連接。晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)需要使用測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)，成品測(cè)試環(huán)節(jié)需要使用測(cè)試機(jī)和分選機(jī)，具體測(cè)試流程如下：
（1）晶圓檢測(cè)環(huán)節(jié)（CP）
晶圓檢測(cè)是指通過(guò)探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)的配合使用，對(duì)晶圓上的裸芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試，其測(cè)試過(guò)程為：探針臺(tái)將晶圓逐片自動(dòng)傳送至測(cè)試位置，芯片的Pad 點(diǎn)通過(guò)探針、專用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給探針臺(tái)，探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記，形成晶圓的Map圖。
（2）成品測(cè)試環(huán)節(jié)（FT）
成品測(cè)試是指通過(guò)分選機(jī)和測(cè)試機(jī)的配合使用，對(duì)封裝完成后的芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試，其測(cè)試過(guò)程為：分選機(jī)將被測(cè)芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測(cè)試工位，被測(cè)芯片的引腳通過(guò)測(cè)試工位上的基座、專用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào)，判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過(guò)通信接口傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對(duì)被測(cè)芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶